STGD6M65DF2, Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STGD6M65DF2
Описание Eng:
88W 650V FS (Field Stop) TO-252 Single IGBTs RoHS
В упаковке:
2500 шт
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
72,97 ₽
Нет в наличии
Технические параметры
Описание STGD6M65DF2
Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGD6M65DF2 , Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара