HGTG12N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTG12N60A4D
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
305,90 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание HGTG12N60A4D
Характеристики
| Структура | - |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | - |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Дополнительные опции | - |
| Корпус | - |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HGTG12N60A4D , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 380 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2336 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара