HGTG12N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGTG12N60A4D
Документы:
Описание HGTG12N60A4D
Характеристики
| Структура | - |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | - |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Дополнительные опции | - |
| Корпус | - |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара