HGTG20N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Документация
Код товара: 122583
Цена и наличие товара актуальны на:
18.06.2019 10:30
18.06.2019 10:30
Цена за 1шт: 233.65 руб.
| Склад | Цена | Наличие | Срок поставки | Кратность | Минимум | Количество | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | ||||||||||||||||
| 58 шт | На складе | 1 шт. | 2 шт. | ||||||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||||||||
| Внешние склады | ||||||||||||||||
| 450 шт. | 10 раб. дн. | 450 шт. | 450 шт. | ||||||||||||
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Наличие в магазинах
Колмогорова, 70
58 шт.Интернет-магазин
508 шт.Рекомендуемые аналоги
| Название | Производитель | Корпус | Со склада | Под заказ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Цена руб. от | Количество | Цена руб. от | Количество | |||
| HGTG20N60A4 | ONS | TO-247 | 141.71 | 207 | 126.55 | 2250 |
Подробное описание
Характеристики
| Структура | igbt+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 70 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 |
| Управляющее напряжение,В | 5.5 |
| Мощность макс.,Вт | 290 |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Корпус | to-247 |
C этим товаром покупают:
Микросхемы
Цена от
28.38 руб.
28.38 руб.
Микросхемы
Цена от
36.01 руб.
36.01 руб.
Оптоэлектроника
Цена от
5.16 руб.
5.16 руб.
Поделиться:
