HGTG20N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Документация
Код товара: 122583
Цена и наличие товара актуальны на:
13.12.2019 13:30
13.12.2019 13:30
Цена за 1шт: 167.14 руб.
| Склад | Цена | Наличие | Срок поставки | Кратность | Минимум | Количество | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника. Поставка со склада | ||||||||||||||||
| 48 шт | На складе | 1 шт. | 2 шт. | ||||||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||||||||
| Внешние склады. Поставка под заказ | ||||||||||||||||
| 450 шт. | 15 раб. дн. | 450 шт. | 450 шт. | ||||||||||||
| 420 шт. | 15 раб. дн. | 30 шт. | 90 шт. | ||||||||||||
Количество:
Стоимость:
Техническая информация
Наличие
Екатеринбург, ул. Колмогорова, 70
35 шт.Интернет-магазин
918 шт.Подробное описание
Характеристики
| Структура | igbt+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 70 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 |
| Управляющее напряжение,В | 5.5 |
| Мощность макс.,Вт | 290 |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Корпус | to-247 |
C этим товаром покупают:
Устройства защиты
Цена от
12.78 руб.
12.78 руб.
Микросхемы
Цена от
16.58 руб.
16.58 руб.
Поделиться:
