HGTG20N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGTG20N60A4D
Документы:
Описание HGTG20N60A4D
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Характеристики
| Структура | igbt+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 70 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 |
| Управляющее напряжение,В | 5.5 |
| Мощность макс.,Вт | 290 |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Корпус | to-247 |
Сообщите мне о поступлении товара