FDA20N50F, Транзистор полевой N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
Транзистор полевой N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт
Транзистор полевой N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDA20N50F
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-3P
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто7.15 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDA20N50F
N-Channel 500V 22A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-3PN
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 22 А |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Максимальное рассеяние мощности | 388 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5мм |
| Высота | 20.1мм |
| Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 15.8мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 45 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 100 нс |
| Серия | UniFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 260 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 V |
| Число контактов | 2 |
| Категория | Высокое напряжение |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 2550 pF @ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 6.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара