Одиночные MOSFET транзисторы

₂₆

Заряд затвора: 65нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (26)

-6% Акция

HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

128Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

651 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 17,97₽

IRFR1205TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

4 949 шт

Внешние склады:

3 085 шт

Аналоги:

11 268 шт

Цена от:

от 35,86₽

FDA20N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

260 мОм

Мощность макс.:

388Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3390пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

60 шт

Цена от:

от 641,27₽

FDP22N50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

312.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

120 шт

Цена от:

от 616,60₽

BUK964R8-60E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

4.4 мОм

Мощность макс.:

234Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

9710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC6675BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

14.4 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDPF20N50FT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

260 мОм

Мощность макс.:

38.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3390пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 27A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

210Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQI27N25TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

25.5A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

25.5A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2410пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40А 56Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2410пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

-6% Акция

IRFIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 31А 45Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт, 0.027 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 034 шт

Цена от:

от 35,86₽

IRFR1205TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 034 шт

Цена от:

от 35,86₽

SI3473CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4166DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30.5A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

6.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4835DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

5.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4835DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

5.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"