Одиночные MOSFET транзисторы

28
Ток стока макс.: 22A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (28)
IRLIZ34NPBF IRLIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 22А 37Вт, 0.035 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 430 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,40
AUIRF7736M2TR AUIRF7736M2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 22A автомобильного применения 9-Pin Direct-FET M4 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] M4
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
108нКл
Входная емкость:
4267пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD13202Q2 CSD13202Q2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 76A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
6.6нКл
Входная емкость:
997пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18501Q5A CSD18501Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
3840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCA22N60N FCA22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH22N60N FCH22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Новинка
FCP22N60N FCP22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF22N60NT FCPF22N60NT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDA20N50F FDA20N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
388Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
3390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
124нКл
Входная емкость:
6400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8321L FDMC8321L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 44В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7670AS FDMS7670AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
4225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP22N50N FDP22N50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
312.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
3200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQB22P10TM FQB22P10TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 277Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
277Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP22N60KPBF IRFP22N60KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22А 370Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IXFH22N65X2 IXFH22N65X2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Производитель:
IXYS Corporation
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±30В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
2310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHB22N65E-GE3 SIHB22N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2415пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHG22N50D-E3 SIHG22N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
1938пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"