Одиночные MOSFET транзисторы

₂₈

Ток стока макс.: 22A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (28)

IRFP22N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 277Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

230 мОм

Мощность макс.:

277Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

3450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

350 шт

Внешние склады:

540 шт

Цена от:

от 212,56₽

IRLIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 22А 37Вт, 0.035 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 382 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 66,44₽

FCA22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1950пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 шт

Цена от:

от 1 392,62₽

Новинка

FCP22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1950пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

36 шт

Внешние склады:

3 шт

Цена от:

от 333,38₽

FDA20N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

260 мОм

Мощность макс.:

388Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3390пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

60 шт

Цена от:

от 641,27₽

FDP22N50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

312.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

120 шт

Цена от:

от 616,61₽

FQB22P10TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 130,06₽

STB28N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 259,83₽

STB32NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

62.5нКл

Входная емкость:

1973пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 266,25₽

STW31N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

148 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

816пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

330 шт

Цена от:

от 328,94₽

AUIRF7736M2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 22A автомобильного применения 9-Pin Direct-FET M4 лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] M4

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

108нКл

Входная емкость:

4267пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSZ0901NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SON8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

2850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD13202Q2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 76A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON6

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

9.3 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

6.6нКл

Входная емкость:

997пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18501Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

3840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCH22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1950пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF22N60NT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1950пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB035AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

124нКл

Входная емкость:

6400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8321L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 44В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

3900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7670AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

4225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFP22N60KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22А 370Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

3570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"