STGP8NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
Наименование:
STGP8NC60KD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 600V 7A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
50 шт
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Цена от:
45,64 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 13+ 25+ 50+ 100+51,91 ₽ 51,00 ₽ 49,81 ₽ 48,15 ₽ 45,64 ₽Срок:В наличииНаличие:3Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 13+ 25+ 50+ 100+51,91 ₽ 51,00 ₽ 49,81 ₽ 48,15 ₽ 45,64 ₽Срок:В наличииНаличие:37Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
7+ 30+ 100+189,62 ₽ 180,59 ₽ 177,58 ₽Срок:14 днейНаличие:100Минимум:Мин: 7Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание STGP8NC60KD
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 10.4мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220 |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Mounting Type | Монтаж на плату в отверстия |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 4.6мм |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
| Высота | 15.75мм |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19 |
| Channel Mode | Поднятие |
| Forward Diode Voltage | 2.1V |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGP8NC60KD , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 238 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2098 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара