FGA25N120ANTDTU, Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
IGBT+D 1200V, 25A, 312W, Tf<150nS
Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGA25N120ANTDTU
Документы:
Описание FGA25N120ANTDTU
Характеристики
Структура | igbt+диод |
---|---|
Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 50 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Управляющее напряжение,В | 5.5 |
Мощность макс.,Вт | 312 |
Крутизна характеристики, S | - |
Температурный диапазон,С | -55…+150 |
Дополнительные опции | встроенный быстродействующий диод |
Корпус | to-3p |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара