Одиночные IGBT транзисторы

67
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (67)
HGTG11N120CND HGTG11N120CND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
43 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Наличие:
268 шт

Внешние склады:
190 шт
Цена от:
от 242,64
-8% Акция
IGW60T120FKSA1 IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
9.5 мДж
Наличие:
222 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 541,50
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
217 Вт
Переключаемая энергия:
1.55 мДж
Наличие:
480 шт

Внешние склады:
192 шт
Цена от:
от 238,38
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
326 Вт
Переключаемая энергия:
2.65 мДж
Наличие:
2 094 шт

Внешние склады:
1 798 шт
Аналоги:
2 400 шт
Цена от:
от 185,82
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
2.9 мДж
Наличие:
1 093 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 212,22
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
190 Вт
Переключаемая энергия:
4.2 мДж
Наличие:
47 шт

Внешние склады:
836 шт
Цена от:
от 555,24
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
483 Вт
Переключаемая энергия:
4.4 мДж
Наличие:
1 313 шт

Внешние склады:
10 254 шт
Цена от:
от 211,14
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
480 Вт
Переключаемая энергия:
5.25 мДж
Наличие:
526 шт

Внешние склады:
286 шт
Цена от:
от 267,96
IRG4PH40UDPBF IRG4PH40UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
82 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 845,88
IRG7PH35UDPBF IRG7PH35UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 180 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт
Переключаемая энергия:
1.06 мДж
Наличие:
170 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 327,60
-8% Акция
IRG7PH35UPBF IRG7PH35UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
55 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
210 Вт
Переключаемая энергия:
1.06 мДж
Наличие:
94 шт

Внешние склады:
150 шт
Цена от:
от 280,80
IRGP20B120UD-EP IRGP20B120UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
850 мкДж
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 824,94
STGF3NC120HD STGF3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
20 А
Макс. рассеиваемая мощность:
25 Вт
Переключаемая энергия:
236 мкДж
Наличие:
426 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 116,22
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
57 А
Импульсный ток коллектора макс.:
114 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Наличие:
32 шт

Внешние склады:
9 882 шт
Цена от:
от 362,58
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
312 Вт
Переключаемая энергия:
4.1 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
328 шт
Цена от:
от 356,94
FGH40T120SMD FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
555 Вт
Переключаемая энергия:
2.7 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
868 шт
Цена от:
от 391,20
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
5.3 А
Импульсный ток коллектора макс.:
6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 77,04
HGTP10N120BN HGTP10N120BN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 519,30
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
326 Вт
Переключаемая энергия:
2.65 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
986 шт
Цена от:
от 337,86
IRG4PH50SPBF IRG4PH50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
57 А
Импульсный ток коллектора макс.:
114 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 720 шт
Цена от:
от 15 573,18
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"