Одиночные IGBT транзисторы

₆₆

Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (66)

FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

555 Вт

Переключаемая энергия:

2.7 мДж

Наличие:

1 279 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 306,77₽

IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

100 А

Макс. рассеиваемая мощность:

326 Вт

Переключаемая энергия:

2.65 мДж

Наличие:

958 шт

Внешние склады:

610 шт

Цена от:

от 211,21₽

IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

483 Вт

Переключаемая энергия:

4.4 мДж

Наличие:

913 шт

Внешние склады:

35 шт

Цена от:

от 211,63₽

IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

100 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

2.9 мДж

Наличие:

805 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 248,74₽

IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

30 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

217 Вт

Переключаемая энергия:

1.55 мДж

Наличие:

401 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 283,11₽

STGF3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

6 А

Импульсный ток коллектора макс.:

20 А

Макс. рассеиваемая мощность:

25 Вт

Переключаемая энергия:

236 мкДж

Наличие:

389 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 171,68₽

HGTG11N120CND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

43 А

Импульсный ток коллектора макс.:

80 А

Макс. рассеиваемая мощность:

298 Вт

Переключаемая энергия:

950 мкДж

Наличие:

275 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 316,43₽

IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

75 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

480 Вт

Переключаемая энергия:

5.25 мДж

Наличие:

217 шт

Внешние склады:

95 шт

Цена от:

от 313,05₽

Акция

IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

100 А

Импульсный ток коллектора макс.:

150 А

Макс. рассеиваемая мощность:

375 Вт

Переключаемая энергия:

9.5 мДж

Наличие:

155 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 679,33₽

AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

57 А

Импульсный ток коллектора макс.:

114 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

1.8 мДж

Наличие:

145 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 481,87₽

-5% Акция

IRG7PH35UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

55 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

210 Вт

Переключаемая энергия:

1.06 мДж

Наличие:

85 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 450,81₽

IRGP20B120UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AD

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

300 Вт

Переключаемая энергия:

850 мкДж

Наличие:

51 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1 013,85₽

IKW25T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

75 А

Макс. рассеиваемая мощность:

190 Вт

Переключаемая энергия:

4.2 мДж

Наличие:

37 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1 173,59₽

IRG4PSH71UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 99 А, 350 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Super-247 (TO-274AA)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

99 А

Импульсный ток коллектора макс.:

200 А

Макс. рассеиваемая мощность:

350 Вт

Переключаемая энергия:

8.8 мДж

Наличие:

6 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1 050,37₽

FGA15N120ANTDTU_F109 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

30 А

Импульсный ток коллектора макс.:

45 А

Макс. рассеиваемая мощность:

186 Вт

Переключаемая энергия:

3 мДж

Связаться с инженером по применению

FGA20N120FTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

298 Вт

Связаться с инженером по применению

FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

90 А

Макс. рассеиваемая мощность:

312 Вт

Переключаемая энергия:

4.1 мДж

Связаться с инженером по применению

FGH25N120FTDS Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

75 А

Макс. рассеиваемая мощность:

313 Вт

Переключаемая энергия:

1.42 мДж

Связаться с инженером по применению

FGL40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO264

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

64 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

500 Вт

Переключаемая энергия:

2.3 мДж

Связаться с инженером по применению

HGT1S10N120BNST Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

35 А

Импульсный ток коллектора макс.:

80 А

Макс. рассеиваемая мощность:

298 Вт

Переключаемая энергия:

320 мкДж

Связаться с инженером по применению

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"