IRFB31N20DPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 31A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Obsolete
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Транзистор полевой N-канальный 200В 31A
Транзистор полевой N-канальный 200В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRFB31N20DPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220AB
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.73 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFB31N20DPBF
MOSFET, N, 200V, 31A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 31A Resistance, Rds On 0.082ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 5.5V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 124A No. of Pins 3 Power Dissipation 200W Power, Pd 200W Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 5.5V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 82 мОм
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.082 ом при 18a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Крутизна характеристики, S | 1.7 |
| Корпус | to220ab |
| Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара