SGP15N120XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт

Код товара: 132138

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SGP15N120XKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1200V 30A 198000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
500 шт
Корпус:
TO-220AB
Статус:
Obsolete
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
198 Вт
Переключаемая энергия:
1.9 мДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200 В

Макс. ток коллектора

30 А

Импульсный ток коллектора макс.

52 А

Макс. рассеиваемая мощность

198 Вт

Переключаемая энергия

1.9 мДж

Корпус

TO-220AB

Вес брутто

3.5 г.

Описание SGP15N120XKSA1

Характеристики

Структураnpt
Максимальное напряжение кэ ,В1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A15
Напряжение насыщения при номинальном токе, В3.1
Управляющее напряжение,В4
Мощность макс.,Вт198
Крутизна характеристики, S-
Температурный диапазон,С-55…150
Дополнительные опции-
Корпусto220

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SGP15N120XKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 247
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.