SGP15N120XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT Chip N-CH 1200V 30A 198000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
SGP15N120XKSA1
Документы:
Описание SGP15N120XKSA1
Характеристики
| Структура | npt |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 15 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.1 |
| Управляющее напряжение,В | 4 |
| Мощность макс.,Вт | 198 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Дополнительные опции | - |
| Корпус | to220 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара