HGTG11N120CND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTG11N120CND
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
43 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Цена от:
254,90 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 11+ 22+ 60+ 90+364,13 ₽ 340,75 ₽ 323,52 ₽ 309,84 ₽ 297,82 ₽Срок:В наличииНаличие:268Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
2+ 8+767,70 ₽ 731,15 ₽Срок:7 днейНаличие:10Минимум:Мин: 2Количество в заказ
-
30+ 43+ 85+303,24 ₽ 261,49 ₽ 254,90 ₽Срок:25 днейНаличие:180Минимум:Мин: 30Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание HGTG11N120CND
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка HGTG11N120CND , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара