HGTG11N120CND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTG11N120CND
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
43 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
316,43 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 11+ 22+ 60+ 90+386,88 ₽ 362,04 ₽ 343,74 ₽ 329,21 ₽ 316,43 ₽Срок:В наличииНаличие:275Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание HGTG11N120CND
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HGTG11N120CND , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2425 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара