8 800 1000 321 - контакт центр
  • HGTG11N120CND

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 140362
Дата обновления: 21.02.2019 20:00
Цена за 1шт: 167.71 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 90 шт: 125.190 руб.
от 60 шт: 131.060 руб.
от 20 шт: 139.390 руб.
от 10 шт: 153.550 руб.
от 1 шт: 167.710 руб.
138 штНа складе1 шт.2 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 27 шт: 163.354 руб.
от 3 шт: 170.333 руб.
100 шт.7 раб. дн.1 шт.3 шт.
от 900 шт: 111.075 руб.
от 450 шт: 113.058 руб.
3 150 шт.10 раб. дн.450 шт.450 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
TO-247
Нормоупаковка
30 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
8.5 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. ток коллектора
43 А
Импульсный ток коллектора макс.
80 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2.4 В
Макс. рассеиваемая мощность
298 Вт
Переключаемая энергия
950 мкДж
Заряд затвора
100 нКл
Время задержки вкл./выкл.
23 нс/180 нс
Время обратного восстановления
70 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
18 шт.
Интернет-магазин
3388 шт.

C этим товаром покупают:

Транзисторы
IRFD320PBF
Цена от
29.94 руб.
Оптоэлектроника
HGTG11N120CND - TO-247
Цена от
22.50 руб.
Конденсаторы
HGTG11N120CND - TO-247
Цена от
12.69 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке