FDN306P, Транзистор полевой P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SuperSOT T/R
Транзистор полевой P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
Транзистор полевой P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDN306P
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23 (SuperSOT-3)
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.04 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDN306P
MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD
Корпус TO236
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -2.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 ом при-2.6a, -4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Крутизна характеристики, S | 10 |
| Корпус | supersot3 |
| Особенности | мобильные приложения |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1.5 |
| Вес, г | 0.041 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара