FDN306P, Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2,6 А, 0.04 Ом, 0.5Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2,6 А, 0.04 Ом, 0.5Вт

FDN306P pdf, 144,6 кБ

Код товара: 145802

Дата обновления: 27.07.2021 21:10

Цена от: 10,75 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Адрес доставки

Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.

Доставка FDN306P, Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2,6 А, 0.04 Ом, 0.5Вт в Екатеринбург

Рассчитать доставку в Екатеринбург

Технические параметры

Корпус

SOT23-3
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

3000 шт.
Вес брутто

0.02 г.
Напряжение исток-сток макс.

12V
Ток стока макс.

2.6A
Мощность макс.

460mW
Тип транзистора

P-Channel
Особенности

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Описание FDN306P

Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2,6 А, 0.04 Ом, 0.5Вт

MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD
Корпус TO236

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	-12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	-2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.04 ом при-2.6a, -4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	0.5
Крутизна характеристики, S	10
Корпус	supersot3
Особенности	мобильные приложения
Пороговое напряжение на затворе	-0.4…-1.5
Вес, г	0.041