STB25NM60ND, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21А 160Вт

Код товара: 150082

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
STB25NM60ND
Производитель:
Описание Eng:
N-channel 600 V, 0.13 Ohm, 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode)
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

600В

Ток стока макс.

21A

Сопротивление открытого канала

160 мОм

Мощность макс.

160Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

80нКл

Входная емкость

2400пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

2 г.

Описание STB25NM60ND

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21А 160Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка STB25NM60ND , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21А 160Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.