STB55NF06T4, Транзистор полевой N-канальный 60В 50А 110Вт
N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II
Транзистор полевой N-канальный 60В 50А 110Вт
Транзистор полевой N-канальный 60В 50А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STB55NF06T4
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2Pak (TO-263)
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка1000 шт
-
Вес брутто2.11 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STB55NF06T4
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 ом при 27.5a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
Крутизна характеристики, S | 18 |
Корпус | d2pak |
Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара