Одиночные MOSFET транзисторы

46
Заряд затвора: 60нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (46)
FDA24N40F FDA24N40F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
149 шт

Внешние склады:
1 236 шт
Цена от:
от 153,38
FDA38N30 FDA38N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
98 шт

Внешние склады:
660 шт
Цена от:
от 157,20
FDD8896 FDD8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 85А 80Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
158 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 56,03
-6% Акция
IRF7822TRPBF IRF7822TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
572 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 36,28
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт, 1.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
49 шт

Внешние склады:
1 150 шт
Цена от:
от 93,42
-6% Акция
IRFIBC40GPBF IRFIBC40GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,71
-6% Акция
IRFZ44EPBF IRFZ44EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт, 0.023 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
348 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 58,72
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
214 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 79,27
IRL2203NPBF IRL2203NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100А 130Вт, 0.007 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
116A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 692 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 80,07
IXFH26N50P IXFH26N50P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26А 400Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-247AD (IXFH)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 551,91
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
203 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 103,59
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
82 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 65,95
STP26NM60N STP26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 314 шт

Внешние склады:
4 933 шт
Цена от:
от 86,49
STP55NF06 STP55NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 202 шт

Внешние склады:
4 510 шт
Цена от:
от 33,22
STP55NF06FP STP55NF06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
2 100 шт
Цена от:
от 49,35
FDA18N50 FDA18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
265 мОм
Мощность макс.:
239Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
720 шт
Цена от:
от 147,93
FDMS86103L FDMS86103L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 169,89
Акция
FDP18N50 FDP18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
265 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
750 шт
Цена от:
от 140,44
-6% Акция
FQP22N30 FQP22N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 21А 170Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
9 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 128,49
IPP77N06S212AKSA2 IPP77N06S212AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
77A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 278,07
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.53599 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"