IRF630NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 9.3А 82Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
NRND
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Транзистор полевой N-канальный 200В 9.3А 82Вт
Транзистор полевой N-канальный 200В 9.3А 82Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF630NSTRLPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2Pak (TO-263)
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто2.31 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF630NSTRLPBF
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 10.67mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Infineon |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.3 A |
| Package Type | D2PAK (TO-263) |
| Maximum Power Dissipation | 82 W |
| Series | HEXFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 11.3mm |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Height | 4.83mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вес, г | 2.5 |
Полные аналоги
-
IRF630NSPBF MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK TubeINFD2Pak (TO-263)
Сообщите мне о поступлении товара