IRF630NSPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Транзистор полевой N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом
Транзистор полевой N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF630NSPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2Pak (TO-263)
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто1.35 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF630NSPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 ом при 5.4a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 82 |
| Крутизна характеристики, S | 4.9 |
| Корпус | d2pak |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Полные аналоги
-
IRF630NSTRLPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAKНаличие:7 штМинимум:штЦена от:121,67 ₽INFD2Pak (TO-263)
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара