IRF630NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом

Код товара: 77740

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF630NSPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

9.3A

Сопротивление открытого канала

300 мОм

Мощность макс.

82Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

35нКл

Входная емкость

575пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

1.35 г.

Описание IRF630NSPBF

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.3 ом при 5.4a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт82
Крутизна характеристики, S4.9
Корпусd2pak
Пороговое напряжение на затворе2…4
Вес, г2.5

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF630NSTRLPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
593 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 83,22

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IRF630NSPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.