GT50J327, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А

Name: GT50J327, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А
Brand: Toshiba Semiconductor
SKU: 151598
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Obsolete Параметры: Vces=575В. Проверено

Bipolar transistor IGBT, 600 V, 50 A

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А

Код товара: 151598

Дата обновления: 09.09.2022 13:15

Доставка GT50J327 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← GT30G122 STGD6NC60HDT4 →