Одиночные IGBT транзисторы

58
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (58)
GT50JR22 GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
230W
Наличие:
5 856 шт

Внешние склады:
3 372 шт
Цена от:
от 116,58
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
1 063 шт

Внешние склады:
389 шт
Цена от:
от 97,14
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
219 шт

Внешние склады:
74 шт
Цена от:
от 183,96
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
434 шт

Внешние склады:
2 835 шт
Цена от:
от 294,42
-8% Акция
IRG4IBC30WPBF IRG4IBC30WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
17A
Импульсный ток коллектора макс.:
92A
Макс. рассеиваемая мощность:
45W
Переключаемая энергия:
130 µJ (on), 130 µJ (off)
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 187,68
IRG7IC28UPBF IRG7IC28UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 25 А, 40 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
25A
Макс. рассеиваемая мощность:
40W
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 408,90
IRGP4068DPBF IRGP4068DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
96A
Переключаемая энергия:
1.28 мДж
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
280 шт
Цена от:
от 323,64
RJH60F7DPQ-A0-T0 RJH60F7DPQ-A0-T0 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 320 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
320W
Наличие:
142 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 318,12
STGF15H60DF STGF15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
30A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
30W
Переключаемая энергия:
136 µJ (on), 207 µJ (off)
Наличие:
122 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 94,86
FGH80N60FDTU FGH80N60FDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
Переключаемая энергия:
1mJ (on), 520 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 369,36
GT50J325 GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
240W
Наличие:
15 шт

Внешние склады:
1 шт
Цена от:
от 1 661,70
-8% Акция
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
70A
Импульсный ток коллектора макс.:
280A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
Переключаемая энергия:
105 µJ (on), 150 µJ (off)
Наличие:
19 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 151,68
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 084 шт
Цена от:
от 486,90
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 88 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
88W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 80,70
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 707 шт
Цена от:
от 194,34
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
306W
Наличие:
34 шт

Внешние склады:
277 шт
Цена от:
от 315,12
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 428 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
150A
Макс. рассеиваемая мощность:
428W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 673,44
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 12A 88Вт автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
88W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 120,42
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 5 А, 53,6Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
5A
Макс. рассеиваемая мощность:
53.6W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 96,54
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
100W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 70,14
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"