GT60N321, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Obsolete форм. выводы под 90 град. Параметры: Vces=900В. Проверено
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)
Код товара: 154325
Дата обновления: 02.02.2021 09:10
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка GT60N321, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21) в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    2-21F2C
  • Тип упаковки
    Bulk (россыпь)
  • Нормоупаковка
    30 шт.
  • Вес брутто
    10 г.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
    60A
  • Макс. рассеиваемая мощность

Описание GT60N321

Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)

Технология/семействоgen4
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A60
Импульсный ток коллектора (Icm), А120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс700
Рабочая температура (Tj), °C-55…+150
Корпус2-21f2c
Структураnpn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В1000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)60
Статический коэффициент передачи тока h21э мин30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт75
Корпусto3p
Вес, г9.8