GT60N321, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)

Код товара: 154325

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
GT60N321
Производитель:
Примечание:
форм. выводы под 90 град. Параметры: Vces=900В. Проверено
Описание Eng:
Bipolar transistor IGBT, 1000 V, 60 A, 170 W
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
2-21F2C
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
170W

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1000V

Макс. ток коллектора

60A

Макс. рассеиваемая мощность

170W

Вес брутто

10 г.

Описание GT60N321

Технология/семействоgen4
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A60
Импульсный ток коллектора (Icm), А120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс700
Рабочая температура (Tj), °C-55…+150
Корпус2-21f2c
Структураnpn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В1000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)60
Статический коэффициент передачи тока h21э мин30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт75
Корпусto3p
Вес, г9.8

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка GT60N321 , Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21) в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.