GT60N321, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Obsolete
форм. выводы под 90 град. Параметры: Vces=900В. Проверено
Bipolar transistor IGBT, 1000 V, 60 A, 170 W
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
GT60N321
Документы:
Описание GT60N321
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 170 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 330 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 700 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | 2-21f2c |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1000 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 1000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 60 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 75 |
| Корпус | to3p |
| Вес, г | 9.8 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара