IKW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Код товара: 154487
Дата обновления: 04.08.2021 23:10
Цена от: 210,52 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IKW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO-247
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    30 шт.
  • Вес брутто
    8.37 г.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
  • Импульсный ток коллектора макс.
  • Макс. рассеиваемая мощность
  • Переключаемая энергия

Описание IKW15N120H3FKSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технология/семействоtrench and fieldstop
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A30
Импульсный ток коллектора (Icm), А60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт217
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс260
Рабочая температура (Tj), °C-40…+175
Корпусpg-to247-3
Вес, г7.5