IKW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

IGBT 1200V 30A 217W

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт

IKW15N120H3 pdf, 0,8 мБ

Код товара: 154487

Дата обновления: 26.04.2024 00:10

Цена от: 310,26 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IKW15N120H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

PG-TO-247-3
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

30 шт
Вес брутто

8.37 г.
Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200 В
Макс. ток коллектора

30 А
Импульсный ток коллектора макс.

60 А
Макс. рассеиваемая мощность

217 Вт
Переключаемая энергия

1.55 мДж

Описание IKW15N120H3FKSA1

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технология/семейство	trench and fieldstop
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	30
Импульсный ток коллектора (Icm), А	60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	217
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	260
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+175
Корпус	pg-to247-3
Вес, г	7.5

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← GT60N321 GT30J322 →