GT30J322, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341)

Name: GT30J322, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Brand: Toshiba Semiconductor
SKU: 155334
Availability: OutOfStock

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Obsolete

Bipolar transistor IGBT, 600 V, 30 A, 75 W

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341)

GT30J322 pdf, 427,8 кБ

Код товара: 155334

Дата обновления: 16.01.2023 16:35

Цена и наличие
Сроки доставки

Адрес доставки

Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.

Доставка GT30J322, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341) в Екатеринбург

Рассчитать доставку в Екатеринбург

Технические параметры

Корпус

TO-3PF
Тип упаковки

Bulk (россыпь)
Нормоупаковка

50 шт
Вес брутто

10.82 г.
Макс. напр. коллектор-эмиттер

600V
Макс. ток коллектора

30A
Макс. рассеиваемая мощность

75W

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← IRG4BC20FDPBF AUIRGR4045D →