GT30J322, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Obsolete
Bipolar transistor IGBT, 600 V, 30 A, 75 W
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
GT30J322
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара