GT30J322, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Obsolete
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
Toshiba Semiconductor
Описание
Bipolar transistor IGBT, 600 V, 30 A, 75 W
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Документация
Код товара: 155334
Дата обновления: 19.06.2018 11:30
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | ||||||||||||||||
| 56 шт | 1 день | 1 шт. | 1 шт. | ||||||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||||||||
| Внешние склады | ||||||||||||||||
| 17 шт. | 3 дн. | 1 шт. | 7 шт. | ||||||||||||
| 5 шт. | 3 дн. | 1 шт. | 1 шт. | ||||||||||||
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Корпус
TO-247-3Нормоупаковка
50 шт.Тип упаковки
Bulk (россыпь)Вес нетто
8 гНаличие в магазинах
Колмогорова, 70
13 шт.Интернет-магазин
78 шт.C этим товаром покупают:
Транзисторы
Цена от
237.36 руб.
237.36 руб.
Диоды
Цена от
75.77 руб.
75.77 руб.
Устройства защиты
Цена от
2.40 руб.
2.40 руб.
Поделиться:
