FDA38N30, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

MOSFET N-CH 300V TO-3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В
Код товара: 197156
Дата обновления: 14.07.2024 08:10
Доставка FDA38N30 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-3P(N)
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    30 шт
  • Вес брутто
    7.4 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
    38A
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание FDA38N30

The FDA38N30 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

• 60nC Typical low gate charge
• 60pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
• ESD Improved capability

Maximum Operating Temperature+150 °C
Number of Elements per Chip1
Length16.2мм
BrandON Semiconductor
Package TypeTO-3P
Maximum Power Dissipation312 W
Mounting TypeМонтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature-55 °C
Width5мм
Высота18.9мм
Pin Count3
Dimensions16.2 x 5 x 18.9mm
Вес, г6.5