FDA38N30, Транзистор полевой N-канальный 300В
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 300V TO-3
Транзистор полевой N-канальный 300В
Транзистор полевой N-канальный 300В
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDA38N30
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-3P(N)
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто7.4 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDA38N30
The FDA38N30 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
• 60nC Typical low gate charge
• 60pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
• ESD Improved capability
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 16.2мм |
| Brand | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-3P |
| Maximum Power Dissipation | 312 W |
| Mounting Type | Монтаж на плату в отверстия |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 5мм |
| Высота | 18.9мм |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 16.2 x 5 x 18.9mm |
| Вес, г | 6.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара