Одиночные MOSFET транзисторы

16
Ток стока макс.: 38A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
FDA38N30 FDA38N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
106 шт

Внешние склады:
1 080 шт
Цена от:
от 133,86
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 418 шт

Внешние склады:
5 261 шт
Цена от:
от 53,20
Акция
IRFB4137PBF IRFB4137PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
341Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
125нКл
Входная емкость:
5168пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
145 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 317,77
IRFP264PBF IRFP264PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 38А 280Вт, 0.075 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
5400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 366 шт

Внешние склады:
117 шт
Цена от:
от 197,80
IRFP4137PBF IRFP4137PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38А 341Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
341Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
125нКл
Входная емкость:
5168пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
91 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 543,40
-6% Акция
STP45NF06 STP45NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
492 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,94
Акция
STP80NF10FP STP80NF10FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 38А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
189нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
81 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 134,89
IRF5210LPBF IRF5210LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 380,26
CSD16401Q5 CSD16401Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
4100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17312Q5 CSD17312Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
1.5 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
5240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF5210SPBF IRF5210SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 3.8Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 679 шт
Цена от:
от 53,20
IRFPS38N60LPBF IRFPS38N60LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 38A
Производитель:
Vishay
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
540Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
320нКл
Входная емкость:
7990пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR3518PBF IRFR3518PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR3518TRPBF IRFR3518TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMFS5C604NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 289A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
8900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB45NF06T4 STB45NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"