FDB035AN06A0, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А
Документация
Код товара: 197167
Дата обновления: 22.10.2018 18:30
| Склад | Цена | Наличие | Срок поставки | Кратность | Минимум | Количество | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | ||||||||
| Нет в наличии | ||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||
| Внешние склады | ||||||||
| 1 600 шт. | 10 дн. | 800 шт. | 800 шт. | ||||
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Корпус
D2PAK/TO263Нормоупаковка
800 шт.Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)Напряжение исток-сток макс.
60 ВТок стока макс.
22 А, 80 АСопротивление открытого канала
3.5 мОмМощность макс.
310 ВтТип транзистора
MOSFET N-канальный, металл-оксидОсобенности
С логическим управлениемПороговое напряжение включения макс.
4 ВЗаряд затвора
124 нКлВходная емкость
6400 пФТип монтажа
ПоверхностныйНаличие в магазинах
Колмогорова, 70
0 шт.Интернет-магазин
1600 шт.Поделиться:
