FDN359BN, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A

Код товара: 197591

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDN359BN
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

2.7A

Сопротивление открытого канала

46 мОм

Мощность макс.

460мВт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

7нКл

Входная емкость

650пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

3-SSOT

Вес брутто

0.02 г.

Описание FDN359BN

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDN359BN , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.