FGH60N60SFDTU, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт
IGBT 600V 120A 378W TO247
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGH60N60SFDTU
Документы:
Описание FGH60N60SFDTU
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
Технология/семейство | field stop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 120 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 180 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.9 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 378 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 22 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 134 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | to-247 |
Вес, г | 7.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара