FGL60N100BNTD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
IGBT 1000V 60A 180W TO264
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGL60N100BNTD
Документы:
Описание FGL60N100BNTD
Корпус TO264
Технология/семейство | npt trench |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.9 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 180 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 140 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 630 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | TO-264 |
Вес, г | 10 |
Полные аналоги
-
FGL60N100BNTDTU IGBT 1000V 60A 180W TO264ONSTO-264
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара