FGY75N60SMD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGY75N60SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 600V 150A 750W 3-Pin Power-247 Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
Power-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
750 Вт
Переключаемая энергия:
2.3 мДж
Цена от:
973,15 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FGY75N60SMD
Характеристики
| Структура | n-канал+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 75 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Управляющее напряжение,В | 5 |
| Мощность макс.,Вт | 750 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…175 |
| Корпус | to-247 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGY75N60SMD , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 201 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1240 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 450 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 266 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара