FGY75N60SMD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT Chip N-CH 600V 150A 750W 3-Pin Power-247 Tube
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGY75N60SMD
Документы:
Описание FGY75N60SMD
Характеристики
| Структура | n-канал+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 75 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Управляющее напряжение,В | 5 |
| Мощность макс.,Вт | 750 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…175 |
| Корпус | to-247 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара