FQA9N90C_F109, Транзистор полевой N-канальный 900В 9А 280Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P

Транзистор полевой N-канальный 900В 9А 280Вт

FQA9N90C_F109 pdf, 2,9 мБ

Код товара: 198507

Дата обновления: 27.04.2024 00:10

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FQA9N90C_F109 , Транзистор полевой N-канальный 900В 9А 280Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-3P(N)
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

30 шт
Вес брутто

6.97 г.
Напряжение исток-сток макс.

900В
Ток стока макс.

9A
Сопротивление открытого канала

1.4 Ом
Мощность макс.

280Вт
Тип транзистора

N-канал
Пороговое напряжение включения макс.

5В
Заряд затвора

58нКл
Входная емкость

2730пФ
Тип монтажа

Through Hole

Описание FQA9N90C_F109

The FQA9N90C_F109 is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (45nC)
• Low Crss (14pF)
• 100% avalanche tested

Base Product Number	FQA9 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2730pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Power Dissipation (Max)	280W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 4.5A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	QFETВ® ->
Supplier Device Package	TO-3P
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Вес, г	6.5

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← FQA7N80C_F109 FQA9P25 →