Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1888)
Surface Mount (3511)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (20)

IRF9530NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

3 948 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 29,82₽

IRF9530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

455 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 47,64₽

IRFH9310TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 21A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

5250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

696 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 63,84₽

IRFR5410TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

205 мОм

Мощность макс.:

66Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

10 654 шт

Внешние склады:

2 850 шт

Аналоги:

11 456 шт

Цена от:

от 29,46₽

Акция

STP45NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

980пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

503 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 32,64₽

Акция

IRFR5410PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13А 66Вт, 0.205 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

205 мОм

Мощность макс.:

66Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 100 шт

Аналоги:

34 264 шт

Цена от:

от 37,14₽

AUIRFR5410 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

205 мОм

Мощность макс.:

66Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86101A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

4120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA10N80C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

240Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA9N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

280Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP9N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N90CT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU5410PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

205 мОм

Мощность макс.:

66Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHB12N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

147Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

937пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF12N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

33Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

937пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG14N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

1144пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP12N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

147Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

937пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP14N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

1144пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STB45NF06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 38 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD30NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 28A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

12 шт

Цена от:

от 28,12₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"