Одиночные MOSFET транзисторы

₂₃

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3542)
Chassis Mount (9)
Through Hole (1904)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (23)

Акция

IPP80R1K4P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

32Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

151 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 35,10₽

NX3008NBKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

350мА

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

260мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

0.68нКл

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

6 700 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 4,08₽

Акция

SPP03N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

58 шт

Внешние склады:

4 100 шт

Цена от:

от 57,78₽

Акция

IPU80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

32Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

10.05нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

35 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

150 шт

Цена от:

от 25,98₽

FDPF5N50T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

28Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA9N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

280Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB5N50CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

73Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

625пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

6.5нКл

Входная емкость:

220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP9N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF7N65C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 52Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1245пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

998 шт

Цена от:

от 25,86₽

FQPF9N90CT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPS80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

32Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

10нКл

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPU80R4K5P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF830APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 74Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF830ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF830ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RSC002P03T316 Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -0.25A SOT-23

Производитель:

ROHM

Корпус:

SST3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

250мА

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

200мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Входная емкость:

30пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N50C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение исток-сток макс.:

560В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"