FQB4N80TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A

Код товара: 198528

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQB4N80TM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

800В

Ток стока макс.

3.9A

Сопротивление открытого канала

3.6 Ом

Мощность макс.

3.13Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

25нКл

Входная емкость

880пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

TO-263-2

Вес брутто

1.66 г.

Описание FQB4N80TM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FQB4N80TM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 142
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.