Одиночные MOSFET транзисторы

₁₄

Мощность макс.: 3.13Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1872)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (14)

FQB12P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

470 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

65 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 451,32₽

-8% Акция

FQB19N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

235 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 37,38₽

FQB19N20CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263-2

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 288,24₽

FQB19N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19.4A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 133,92₽

FQB4N80TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263-2

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

3.9A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 134,58₽

FQB5N90TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263-2

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

2.3 Ом

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 133,86₽

FQB11P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11.4A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB1P50TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 1.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263-2

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

10.5 Ом

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB34N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

3900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB6N80TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

5.8A

Сопротивление открытого канала:

1.95 Ом

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB7N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 74А 1000 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB7P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 7.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

690 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQI27N25TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

25.5A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQI4N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

3.9A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45496 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"