Одиночные MOSFET транзисторы

14
Входная емкость: 880пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (14)
IRLIZ34NPBF IRLIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 22А 37Вт, 0.035 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 392 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 63,36
Акция
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
47 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 29,40
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 56Вт, 0.035 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 793 шт

Внешние склады:
437 шт
Цена от:
от 43,80
-8% Акция
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
190 шт

Внешние склады:
2 260 шт
Цена от:
от 50,58
FDMC3612 FDMC3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 27,72
FQB4N80TM FQB4N80TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 128,88
FQP4N80 FQP4N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 67,44
FDC3535 FDC3535 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
183 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQI4N80TU FQI4N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLR2705PBF IRLR2705PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28А 68Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 047 шт
Цена от:
от 29,40
Акция
IRLZ34NSPBF IRLZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 450 шт
Цена от:
от 50,58
SI2301-TP SI2301-TP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Micro Commercial Components
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
450mВ
Заряд затвора:
14.5нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
904 267 шт
Цена от:
от 0,92
SI7315DN-T1-GE3 SI7315DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 8.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
315 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
27.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"