FQD12N20TM, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А
Документация
Код товара: 198542
Дата обновления: 22.10.2018 12:00
| Склад | Цена | Наличие | Срок поставки | Кратность | Минимум | Количество | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | ||||||||||
| Нет в наличии | ||||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||
| Внешние склады | ||||||||||
| 12 500 шт. | 28 дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Корпус
DPAK/TO252Нормоупаковка
2500 шт.Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)Напряжение исток-сток макс.
200 ВТок стока макс.
9 АСопротивление открытого канала
280 мОмМощность макс.
2.5 ВтТип транзистора
MOSFET N-канальный, металл-оксидОсобенности
СтандартныйПороговое напряжение включения макс.
5 ВЗаряд затвора
23 нКлВходная емкость
910 пФТип монтажа
ПоверхностныйНаличие в магазинах
Колмогорова, 70
0 шт.Интернет-магазин
12500 шт.Поделиться:
