FQD19N10LTM, Транзистор полевой N-канальный 100В 15.6A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Транзистор полевой N-канальный 100В 15.6A
Транзистор полевой N-канальный 100В 15.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FQD19N10LTM
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-252-3
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.47 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FQD19N10LTM
The FQD19N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
• 100% Avalanche tested
• 14nC Typical low gate charge
• 35pF Typical low Crss
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 ом при 7.8a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 14 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара