FQD19N10LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FQD19N10LTM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
2500 шт
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образец
Цена от:
50,51 ₽
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 20+ 40+ 79+ 158+55,96 ₽ 55,11 ₽ 54,02 ₽ 52,56 ₽ 50,51 ₽Срок:В наличииНаличие:133Минимум:6Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 20+ 40+ 79+ 158+55,96 ₽ 55,11 ₽ 54,02 ₽ 52,56 ₽ 50,51 ₽Срок:В наличииНаличие:15Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FQD19N10LTM
The FQD19N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
• 100% Avalanche tested
• 14nC Typical low gate charge
• 35pF Typical low Crss
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 ом при 7.8a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 14 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FQD19N10LTM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара