Одиночные MOSFET транзисторы

61
Заряд затвора: 18нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (61)
-8% Акция
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
204 шт

Внешние склады:
2 610 шт
Цена от:
от 44,46
-8% Акция
IRF9520PBF IRF9520PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A. 40Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
165 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 56,64
-7%
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
639 шт

Внешние склады:
50 000 шт
Цена от:
от 48,42
-7%
IRFD9120PBF IRFD9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
280 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 71,70
-8% Акция
IRFDC20PBF IRFDC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 128,22
-8% Акция
IRFR9120TRPBF IRFR9120TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 602 шт

Внешние склады:
1 276 шт
Цена от:
от 41,94
-8% Акция
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.0А 42Вт, 4.4 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
486 шт

Внешние склады:
70 шт
Аналоги:
3 416 шт
Цена от:
от 51,72
-7%
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 000 шт

Внешние склады:
1 223 шт
Аналоги:
1 749 шт
Цена от:
от 60,00
-7%
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 193 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 779 шт
Цена от:
от 56,46
-7%
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6А 42Вт, 0.60 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
I-Pak (TO-251AA)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 049 шт

Внешние склады:
1 040 шт
Цена от:
от 50,04
-7%
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 42Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
654 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 57,48
-7%
IRLD024PBF IRLD024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
HVMDIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 64,74
-8% Акция
SIHF6N40D-E3 SIHF6N40D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
92 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,68
-8% Акция
STD7NM80 STD7NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.5А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 183 шт

Внешние склады:
52 480 шт
Цена от:
от 73,62
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.9A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-UDFN2020 (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.9A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
660мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
907пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 638 шт
Цена от:
от 10,32
FDC5612 FDC5612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 36,30
FDMC86324 FDMC86324 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 97,20
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
31.8 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
865пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 990 шт
Цена от:
от 12,72
STD16NF25 STD16NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
235 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
25 000 шт
Цена от:
от 66,78
STD3NK100Z STD3NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 2.5А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
601пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
25 000 шт
Цена от:
от 47,40
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"