FQD5N20LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.8A

Код товара: 198561

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQD5N20LTM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

3.8A

Сопротивление открытого канала

1.2 Ом

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

6.2нКл

Входная емкость

325пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Описание FQD5N20LTM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.8A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FQD5N20LTM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.8A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.