HGT1S12N60A4DS, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGT1S12N60A4DS
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара