HGT1S12N60A4DS, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Код товара: 201332
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGT1S12N60A4DS
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
800 шт.
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание HGT1S12N60A4DS
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
HGTP12N60A4D.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка HGT1S12N60A4DS , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 813 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 715 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара