IGW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IGW15N120H3FKSA1
Производитель:
Описание Eng:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Нормоупаковка:
240 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
217W
Цена от:
273,15 руб.
Внешние склады
-
28+ 40+ 79+324,94 ₽ 280,21 ₽ 273,15 ₽Срок:25 днейНаличие:240Минимум:Мин: 28Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IGW15N120H3FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IGW15N120H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара