Одиночные IGBT транзисторы

24
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (24)
IGW40T120FKSA1 IGW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
75A
Макс. рассеиваемая мощность:
270W
Наличие:
68 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 473,04
IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
310W
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Наличие:
463 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 176,34
IKW08T120FKSA1 IKW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
8A
Наличие:
239 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 214,44
-8% Акция
STGP3NC120HD STGP3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
14A
Импульсный ток коллектора макс.:
20A
Макс. рассеиваемая мощность:
75W
Переключаемая энергия:
236 µJ (on), 290 µJ (off)
Наличие:
184 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 118,08
STGWA40M120DF3 STGWA40M120DF3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
468W
Переключаемая энергия:
1.03mJ (on), 480 µJ (off)
Наличие:
118 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 312,24
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
217W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 257,16
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 40A 288Вт TO247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
288W
Переключаемая энергия:
750 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
742 шт
Цена от:
от 222,90
IKW40T120FKSA1 IKW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
40A
Наличие:
34 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 673,14
IXGA20N120A3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 40A 180Вт TO263
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-263 (IXGA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
180W
Переключаемая энергия:
2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 470,88
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 160A 454Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
454W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
503 шт
Цена от:
от 205,92
STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 14A 75Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DВІPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
14A
Импульсный ток коллектора макс.:
20A
Макс. рассеиваемая мощность:
75W
Переключаемая энергия:
236 µJ (on), 290 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 132,60
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 10A 75Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
10A
Импульсный ток коллектора макс.:
10A
Макс. рассеиваемая мощность:
75W
Переключаемая энергия:
2.59mJ (on), 9mJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 86,94
APT25GN120SG Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
D3Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
67A
Импульсный ток коллектора макс.:
75A
Макс. рассеиваемая мощность:
272W
FGL40N120ANDTU FGL40N120ANDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
64A
Макс. рассеиваемая мощность:
500W
IGD01N120H2BUMA1 IGD01N120H2BUMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 3.2A 28Вт TO252-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
3.2A
Импульсный ток коллектора макс.:
3.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
28W
Переключаемая энергия:
140 µJ
IKW15T120FKSA1 IKW15T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
110W
IRG4BH20K-LPBF IRG4BH20K-LPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 11A 60Вт 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
11A
Импульсный ток коллектора макс.:
22A
Макс. рассеиваемая мощность:
60W
Переключаемая энергия:
450 µJ (on), 440 µJ (off)
IRG4PH40KPBF IRG4PH40KPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 30A 160Вт TO247AC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
30A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
160W
Переключаемая энергия:
730 µJ (on), 1.66mJ (off)
IRG7PH42UD1PBF IRG7PH42UD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 85 А, 313 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
85A
Макс. рассеиваемая мощность:
313W
Переключаемая энергия:
1.21 мДж
NGTB30N120IHSWG NGTB30N120IHSWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
30A
Переключаемая энергия:
1 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"