IGW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IGW15N120H3FKSA1
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара