IKD04N60RATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 75000 мВт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 75000 мВт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 75000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IKD04N60RATMA1
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара