IKD06N60RFATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт

Код товара: 202855

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IKD06N60RFATMA1
Производитель:
Описание Eng:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
100W

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600V

Макс. ток коллектора

12A

Макс. рассеиваемая мощность

100W

Корпус

DPAK

Вес брутто

0.6 г.

Описание IKD06N60RFATMA1

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IKD06N60RFATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.