IKD06N60RFATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт

Код товара: 202855

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IKD06N60RFATMA1
Производитель:
Описание Eng:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Нормоупаковка:
2500 шт.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
100W

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600V

Макс. ток коллектора

12A

Макс. рассеиваемая мощность

100W

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.6 г.

Описание IKD06N60RFATMA1

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт

Способы доставки в Калининград

Доставка IKD06N60RFATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.