IKD06N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 100000 мвт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IKD06N60RFATMA1
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара