IRF640NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 18А 150Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Транзистор полевой N-канальный 200В 18А 150Вт
Транзистор полевой N-канальный 200В 18А 150Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF640NSTRLPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2Pak (TO-263)
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка800 шт
-
Вес брутто2.3 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF640NSTRLPBF
MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current, Id: 18A; Package/Case: D2-PAK; Power Dissipation, Pd: 150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C: 13A; Drain Source On Resistance @ 10V: 150mohm
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.15 ом при 11a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Крутизна характеристики, S | 6.8 |
| Корпус | d2pak |
| Вес, г | 2.5 |
Полные аналоги
-
IRF640NSPBF MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK TubeINFD2Pak (TO-263)
-
IRF640NSTRRPBF MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKINFD2Pak (TO-263)
Сообщите мне о поступлении товара